目前的真空镀膜大多采用热蒸发（热电阻或电子束蒸发）方式镀制薄膜，存在膜层疏松、性能不稳定、牢固度差等缺点。根据薄膜微观缬构分析，这是因为热蒸发镀制的膜层是柱状结构，存在大量间隙，极易吸附和渗透水汽，这种组织缺陷状态对膜层的力学性能、光学性能、电学性能及抗腐蚀性能都是有害的。离子束辅助镀膜工艺是在热蒸发镀制薄膜的同时，用离子束轰击来改变薄膜的结构，从而改善薄膜的应力、附着力、填充密度等特性，用于发生离子束的离子源是实现离子束辅助镀膜工艺的关键。

本产品是冷阴极潘宁放电型宽束离子源。由于采用了冷阴极结构，没有阴极灯丝，所以结构比较简单，电源调节参数少，操作方便，寿命较长，污染少，离子束能量可调节范围宽，均匀性好。使用本产品可以提高薄膜的牢固度和抗腐蚀性，改善性能的稳定性,提高膜层的抗激光破坏能力，缩短镀膜时间，提高工作效率，降低镀膜功耗，降低镀膜成本。

本产品离化率高、功耗低、发热量小，真正实现室温冷镀，非常适合在光学树脂、塑料及胶合件等对温度敏感的基底上镀制薄膜。